IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, SOT-23, IRLML2060TRPBF
Bestellnr.: 54S1073
HTN:
IRLML2060TRPBF
SP001578644
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Leistungs-MOSFET, IRLML2060TRPBF, INFINEON
Der StrongIRFET-Leistungs-MOSFET ist für niedrigen RDS(Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler.
Features
- Industriestandard Gehäuse für Oberflächenmontage
- Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
- Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration
- Standard-Pinout ermöglicht einen einfachen Austausch
- Erhöhte Leistungsdichte
Anwendungen
- Schutz der Batterie
- SMPS
- DC-Schalter
- Lastschalter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 480 mΩ | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 6.7x10<sup>-10</sup> C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | PH |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |