IRL7472L1TRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal DirectFET Power MOSFET, 40 V, 375 A, DirectFET-L8, IRL7472L1TRPBF
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MOSFET, IRL7472L1TRPBF, Infineon Technologies
Features
- Optimiert für die Ansteuerung auf Logikniveau
- Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit
- Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
- Verbesserte dv/dt- und di/dt-Fähigkeit der Body-Diode
- Bleifrei, RoHS-konform
Anwendungen
- Anwendungen für bürstenbehaftete Motorantriebe
- BLDC-Motorantriebsanwendungen
- Batteriebetriebene Schaltungen
- Halbbrücken- und Vollbrückentopologien
- Anwendungen von Synchrongleichrichtern
- DC/DC- und AC/DC-Wandler
- DC/AC-Wechselrichter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 40 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.33x10<sup>-7</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 341 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 0.45 mΩ | |
| max. Strom | 375 A | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Gehäuse | DirectFET-L8 | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 3 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |