IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, D2PAK, IRFZ46ZSTRLPBF
Bestellnr.: 54S1042
HTN:
IRFZ46ZSTRLPBF
SP001571826
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Leistungs-MOSFET, IRFZ46ZSTRLPBF, INFINEON
Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen.
Features
- Dynamischer dv/dt-Wert
- Bleifrei
- Umweltfreundliches Produkt (RoHS-konform)
- Halogenfrei
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Gehäuse | D2PAK | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 13.6 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.1x10<sup>-8</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 800 Stück |
| Ursprungsland | MX |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |