IRFZ34N | Infineon Technologies

NFET Si 55V 29A 40mOhm TO220AB-3 IRFZ34NPBF

Bestellnr.: 24S3339
HTN:
IRFZ34N
Herstellerserien: IRFZ
IRFZ34N Infineon Technologies MOSFETs
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Einzelne N-Kanal-Leistung, IRFZ34N, Infineon Technologies

55V Single-N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse.

Features

  • Planare Zellstruktur für breite SOA
  • Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
  • Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
  • Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100kHz schalten
  • Stromgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage
  • Hohe Strombelastbarkeit
  • Qualifizierung nach Industriestandard
  • Hohe Leistung bei niederfrequenten Anwendungen
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gate Charge Qg @10V (nC) 2.27x10<sup>-8</sup> C
Verlustleistung W (DC) 56 W
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 40 mΩ
Ausführung N-Kanal
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 175 °C
Gehäuse TO-220
Montage THT
Logistik
Merkmal Wert
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 50 Stück
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
Stand der RoHS-Richtlinie 08.06.11
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja