IRFZ34N | Infineon Technologies
NFET Si 55V 29A 40mOhm TO220AB-3 IRFZ34NPBF
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Einzelne N-Kanal-Leistung, IRFZ34N, Infineon Technologies
55V Single-N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse.
Features
- Planare Zellstruktur für breite SOA
- Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
- Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
- Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100kHz schalten
- Stromgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage
- Hohe Strombelastbarkeit
- Qualifizierung nach Industriestandard
- Hohe Leistung bei niederfrequenten Anwendungen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 40 mΩ | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 56 W | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.27x10<sup>-8</sup> C | |
| Gehäuse | TO-220 |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |