IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, DPAK, IRFR3806TRPBF
Bestellnr.: 54S1072
HTN:
IRFR3806TRPBF
SP001564890
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Leistungs-MOSFET, IRFR3806TRPBF, INFINEON
Der StrongIRFET-Leistungs-MOSFET ist für niedrigen RDS(Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler.
Features
- Optimiert für eine möglichst breite Verfügbarkeit bei den Vertriebspartnern
- Industriestandard-Gehäuse für Oberflächenmontage
- Silizium optimiert für Anwendungen, die unter < 100 kHz schalten
- Breite Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
- Standard-Pinout ermöglicht Drop-in-Austausch
Anwendungen
- Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
- Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 15.8 mΩ | |
| Gehäuse | DPAK | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3x10<sup>-8</sup> C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |