IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, DPAK, IRFR1205TRPBF
Bestellnr.: 54S1061
HTN:
IRFR1205TRPBF
SP001560566
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Leistungs-MOSFET, IRFR1205TRPBF, INFINEON
Der HEXFET der fünften Generation von International Rectifier nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFET bekannt ist, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Features
- Planare Zellstruktur für breite SOA
- Optimiert für eine möglichst breite Verfügbarkeit bei den Vertriebspartnern
- Silizium optimiert für Anwendungen, die unter < 100 kHz schalten
- Industriestandard-Gehäuse für Oberflächenmontage
- Standard-Pinout ermöglicht Drop-in-Austausch
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 27 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | DPAK | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 4.33x10<sup>-8</sup> C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |