IRFP460APBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 500 V, 20 A, TO-247, IRFP460APBF
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MOSFETs, IRFP460APBF, Infineon Technologies
Features
- Niedrige Gate-Ladung Q führt zu einfachen Antriebsanforderungen
- Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
- Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Avalanche-Spannung und -Strom
- Effektive Coss angegeben
Anwendungen
- Schaltnetzteil (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | TO-247 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 270 mΩ | |
| max. Spannung | 500 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 0.000000105 C | |
| Verlustleistung W (DC) | 280 W | |
| max. Strom | 20 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |