IRFP460APBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 500 V, 20 A, TO-247, IRFP460APBF
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MOSFETs, IRFP460APBF, Infineon Technologies
Features
- Niedrige Gate-Ladung Q führt zu einfachen Antriebsanforderungen
- Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
- Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Avalanche-Spannung und -Strom
- Effektive Coss angegeben
Anwendungen
- Schaltnetzteil (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
Technische Daten
Verlustleistung W (DC) | 280 W | |
max. Strom | 20 A | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.05x10<sup>-7</sup> C | |
max. Temperatur | 150 °C | |
Ausführung | N-Kanal | |
Montage | THT | |
max. Spannung | 500 V | |
Gehäuse | TO-247 | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 270 mΩ | |
min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Ursprungsland | CN |
Compliance
SVHC frei | Ja |
RoHS konform | Ja |