IRFP260NPBF | Infineon Technologies
NFET Si 200V 50A 0,04Ohm TO247AC-3 IRFP260NPBF
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Einzelne N-Kanal-Leistung, IRFP260NPBF, Infineon Technologies
Die Leistungs-MOSFETs der IR-MOSFET-Familie nutzen bewährte Siliziumprozesse und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen.
Features
- Planare Zellstruktur für breite SOA
- Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
- Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
- Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100kHz schalten
- Stromgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage
- Hohe Strombelastbarkeit
- Qualifizierung nach Industriestandard
- Hohe Leistung bei niederfrequenten Anwendungen
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Montage | THT | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 40 mΩ | |
max. Temperatur | 175 °C | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.34x10<sup>-7</sup> C | |
Verlustleistung W (DC) | 300 W | |
Gehäuse | TO-247AC |
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Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 25 Stück |
Ursprungsland | MX |
Compliance
Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
SVHC frei | Ja |
RoHS konform | Ja |