IRFP260NPBF | Infineon Technologies
NFET Si 200V 50A 0,04Ohm TO247AC-3 IRFP260NPBF
Einzelpreis (€ / Stk.)
1,6065 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 18 Wochen
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1 Stk.
1,6065 €
25 Stk.
1,5589 €
50 Stk.
1,4994 €
100 Stk.
1,4518 €
250 Stk.
1,4280 €
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Einzelne N-Kanal-Leistung, IRFP260NPBF, Infineon Technologies
Die Leistungs-MOSFETs der IR-MOSFET-Familie nutzen bewährte Siliziumprozesse und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen.
Features
- Planare Zellstruktur für breite SOA
- Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
- Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
- Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100kHz schalten
- Stromgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage
- Hohe Strombelastbarkeit
- Qualifizierung nach Industriestandard
- Hohe Leistung bei niederfrequenten Anwendungen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | TO-247AC | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 40 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 0.000000234 C | |
| Verlustleistung W (DC) | 300 W |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | MX |
| Originalverpackung | Stange mit 25 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |