IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 97 A, TO-220, IRFB4410ZPBF

Bestellnr.: 31S3234
EAN: 4099879034151
HTN:
IRFB4410ZPBF
SP001564008
Herstellerserien: IRFB
IRFB4410ZPBF Infineon Technologies MOSFETs
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MOSFETs, IRFB4410ZPBF, Infineon Technologies

Features

  • Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
  • Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
  • Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden

Anwendungen

  • Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
  • Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
max. Spannung 100 V
max. Temperatur 175 °C
min. Temperatur -55 °C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 9 mΩ
Gehäuse TO-220
max. Strom 97 A
Verlustleistung W (DC) 230 W
Montage THT
Ausführung N-Kanal
Gate Charge Qg @10V (nC) 8.3x10<sup>-8</sup> C
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15