IRFB4020PBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal Digital Audio MOSFET, 200 V, 18 A, TO-220, IRFB4020PBF
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MOSFETs, IRFB4020PBF, Infineon Technologies
Der IRFB4020PBF wurde speziell für Class-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Features
- Optimierte Schlüsselparameter für Class-D-Audioverstärkeranwendungen
- Verbesserte Effizienz
- Niedriger Q-Wert für besseren Klirrfaktor und geringere EMI
- Kann bis zu 300 W pro Kanal an 8 Ω Last in Halbbrücken-Konfiguration liefern Verstärker
Anwendungen
- DC-Motoren
- Batterie-Management-Systeme
- Wechselrichter
- DC-DC-Wandler
Technische Daten
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 52 W | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.8x10<sup>-8</sup> C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 100 mΩ | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 18 A | |
| max. Spannung | 200 V | |
| Gehäuse | TO-220 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |