IRFB3806PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 60 V, 43 A, TO-220, IRFB3806PBF

Bestellnr.: 31S3226
EAN: 4099879034106
HTN:
IRFB3806PBF
SP001572380
Herstellerserien: IRFB
IRFB3806PBF Infineon Technologies MOSFETs
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MOSFETs, IRFB3806PBF, Infineon Technologies

Features

  • Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
  • Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
  • Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden

Anwendungen

  • Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
  • Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
max. Spannung 60 V
max. Temperatur 175 °C
min. Temperatur -55 °C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 15.8 mΩ
Gehäuse TO-220
max. Strom 43 A
Verlustleistung W (DC) 71 W
Montage THT
Ausführung N-Kanal
Gate Charge Qg @10V (nC) 2.2x10<sup>-8</sup> C
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15