IRFB3607PBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607PBF
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MOSFETs, IRFB3607PBF, Infineon Technologies
Features
- Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
- Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
- Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden
Anwendungen
- Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
- Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
min. Temperatur | -55 °C | |
max. Strom | 80 A | |
Verlustleistung W (DC) | 140 W | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 5.6x10<sup>-8</sup> C | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 9 mΩ | |
Gehäuse | TO-220 | |
max. Temperatur | 175 °C | |
Ausführung | N-Kanal | |
Montage | THT | |
max. Spannung | 75 V |
Download
Logistik
Merkmal | Wert |
---|---|
Originalverpackung | Stange mit 656 Stück |
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
Merkmal | Wert |
---|---|
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |