IRFB3607PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607PBF

Bestellnr.: 31S3225
EAN: 4099879034090
HTN:
IRFB3607PBF
SP001551746
Herstellerserien: NFET_IRFXXX
IRFB3607PBF Infineon Technologies MOSFETs
Abbildung kann abweichen
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,6307 € *
Sofort verfügbar: 50 Stk.
Verfügbar in 5 Tagen: 2.430 Stk. - bei Bestellung heute
Gesamtpreis:
6,31 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
10 Stk.
0,6307 €

MOSFETs, IRFB3607PBF, Infineon Technologies

Features

  • Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
  • Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
  • Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden

Anwendungen

  • Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
  • Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
min. Temperatur -55 °C
max. Strom 80 A
Verlustleistung W (DC) 140 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 5.6x10<sup>-8</sup> C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 9 mΩ
Gehäuse TO-220
max. Temperatur 175 °C
Ausführung N-Kanal
Montage THT
max. Spannung 75 V
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Stange mit 656 Stück
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15