IRFB3607PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607PBF

Bestellnr.: 31S3225
EAN: 4099879034090
HTN:
IRFB3607PBF
SP001551746
Herstellerserien: NFET_IRFXXX
IRFB3607PBF Infineon Technologies MOSFETs
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MOSFETs, IRFB3607PBF, Infineon Technologies

Features

  • Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
  • Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
  • Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden

Anwendungen

  • Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
  • Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
max. Temperatur 175 °C
Montage THT
Verlustleistung W (DC) 140 W
min. Temperatur -55 °C
Gate Charge Qg @10V (nC) 5.6x10<sup>-8</sup> C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 9 mΩ
Ausführung N-Kanal
max. Strom 80 A
max. Spannung 75 V
Gehäuse TO-220
Logistik
Originalverpackung Stange mit 656 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja