IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -19 A, TO-220, IRF9Z34NPBF

Bestellnr.: 24S3279
EAN: 4099879033314
HTN:
IRF9Z34NPBF
SP001560182
Herstellerserien: IRF
IRF9Z34NPBF Infineon Technologies MOSFETs
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MOSFETs, IRF9Z34NPBF, Infineon Technologies

Der IRF9Z34NPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.

Features

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Extrem niedriger Einschaltwiderstand
  • Dynamischer dv/dt-Wert
  • Schnelles Umschalten
  • P-Kanal

Anwendungen

  • DC-Motoren
  • Wechselrichter
  • SMPS
  • Beleuchtung
  • Lastschalter
  • Batteriebetriebene Anwendungen
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gate Charge Qg @10V (nC) 3.5x10<sup>-8</sup> C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 100 mΩ
Verlustleistung W (DC) 68 W
Ausführung P-Kanal
Montage THT
max. Strom -19 A
Gehäuse TO-220
max. Temperatur 150 °C
max. Spannung -55 V
min. Temperatur -40 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland US
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 50 Stück
Compliance
Merkmal Wert
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja