IRF7341TRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal Dual HEXFET Power MOSFET, SOIC-8, IRF7341TRPBF
Bestellnr.: 54S1064
HTN:
IRF7341TRPBF
SP001554204
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Leistungs-MOSFET, IRF7341TRPBF, INFINEON
HEXFET der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Power-MOSFET bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Features
- RoHS-konform
- Niedriger RDS(ein)
- Dynamischer dv/dt-Wert
- Zweifach-N-Kanal-MOSFET
- Bleifrei
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 65 mΩ | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 50 mΩ | |
| Gehäuse | SOIC-8 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.4x10<sup>-8</sup> C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |