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IRF7303TRPBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal Dual HEXFET Power MOSFET, 30 V, 4.9 A, SO-8, IRF7303TRPBF

Bestellnr.:  24S3280
HTN:
IRF7303TRPBF
NFET 30V 4.9A
Herstellerserien:  IRF
EAN: 4099879033321
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Produktbeschreibung

MOSFET, IRF7303TRPBF, Infineon Technologies

Der IRF7303TRPBF wurde durch ein kundenspezifisches Leadframe modifiziert, um die thermischen Eigenschaften und die Multiple-Die-Fähigkeit zu verbessern, wodurch er sich für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet.

Features

  • Technologie der Generation V
  • Extrem niedriger Einschaltwiderstand
  • Zweifach-N-Kanal-Mosfet
  • Dynamischer dv/dt-Wert
  • Schnelles Umschalten

Anwendungen

  • Für Leistungsanwendungen
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 0.05 Ω
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 0.08 Ω
Gate Charge Qg @10V (nC) 2.5x10<sup>-8</sup> C
Gehäuse SO-8
max. Spannung 30 V
max. Strom 4.9 A
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Verlustleistung W (DC) 2 W
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Logistik
Ursprungsland MY
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 44.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja