IRF640NPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 18 A, TO-220, IRF640NPBF
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MOSFETs, IRF640NPBF, Infineon Technologies
Der IRF640NPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.
Features
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand
- Dynamischer dv/dt-Wert
- Schnelles Umschalten
- Einfaches Parallelisieren
- Einfache Antriebsanforderungen
Anwendungen
- DC-Motoren
- Wechselrichter
- SMPS
- Beleuchtung
- Lastschalter
- Batteriebetriebene Anwendungen
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 150 W | |
| max. Strom | 18 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 6.7x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | THT | |
| max. Spannung | 200 V | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 150 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |