Leistungs-MOSFET, IRF540NSTRLPBF, INFINEON
Die fortschrittlichen HEXFET-Leistungs-MOSFET von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D²Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Die-Größen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen Widerstand in einem bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäuse. Das D²Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten.
Features
- Planare Zellstruktur für breite SOA
- Optimiert für eine möglichst breite Verfügbarkeit bei den Vertriebspartnern
- Silizium optimiert für Anwendungen, die unter < 100 kHz schalten
- Industriestandard-Gehäuse für die Oberflächenmontage
- Geeignet für Wellenlötung
