IRF5305PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -31 A, TO-220, IRF5305PBF

Bestellnr.: 24S3250
EAN: 4099879033215
HTN:
IRF5305PBF
SP001564354
Herstellerserien: IRF
IRF5305PBF Infineon Technologies MOSFETs
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MOSFETs, IRF5305PBF, Infineon Technologies

Der IRF5305PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.

Features

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Extrem niedriger Einschaltwiderstand
  • Dynamischer dv/dt-Wert
  • Schnelles Umschalten

Anwendungen

  • DC-Motoren
  • Wechselrichter
  • SMPS
  • Beleuchtung
  • Lastschalter
  • Batteriebetriebene Anwendungen
Technische Daten
max. Spannung -55 V
max. Temperatur 175 °C
min. Temperatur -55 °C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 60 mΩ
Gehäuse TO-220
max. Strom -31 A
Verlustleistung W (DC) 110 W
Montage THT
Ausführung P-Kanal
Gate Charge Qg @10V (nC) 6.3x10<sup>-8</sup> C
Logistik
Originalverpackung Stange mit 1 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland KR
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15