IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -42 A, TO-252-3, IRF4905STRRPBF
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MOSFETs, IRF4905STRRPBF, Infineon Technologies
Features
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand
- Wiederholter Lawinenabgang bis zu Tj max erlaubt
- Schnelles Umschalten
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 170 W | |
| max. Strom | -42 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.8x10<sup>-7</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | P-Kanal | |
| Montage | SMD | |
| max. Spannung | -55 V | |
| Gehäuse | TO-252-3 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 20 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 800 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |