IRF4905LPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -42 A, TO-262, IRF4905LPBF
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MOSFETs, IRF4905LPBF, Infineon Technologies
Features
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand
- Wiederholter Lawinenabgang bis zu Tj max erlaubt
- Schnelles Umschalten
Anwendungen
- DC-Motoren
- SMPS
- Beleuchtung
- Lastschalter
- Batteriebetriebene Anwendungen
Technische Daten
Verlustleistung W (DC) | 3.8 W | |
max. Strom | -42 A | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.2x10<sup>-7</sup> C | |
max. Temperatur | 150 °C | |
Ausführung | P-Kanal | |
Montage | THT | |
max. Spannung | -55 V | |
Gehäuse | TO-262 | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 20 mΩ | |
min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Ursprungsland | CN |
Compliance
SVHC frei | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
RoHS konform | Ja |