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IRF3808PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 140 A, TO-220, IRF3808PBF

Bestellnr.: 31S3104
EAN: 4099879034021
HTN:
IRF3808PBF
SP001563250
Herstellerserien: NFET_IRFXXX
Infineon Technologies
IRF3808PBF Infineon Technologies MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 75 V
max. Strom 140 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 7 mΩ
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MOSFETs, IRF3808PBF, Infineon Technologies

Der IRF3808PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken nutzt, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Das Design ist extrem effizient und zuverlässig und kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden.

Features

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Extrem niedriger Einschaltwiderstand
  • Dynamischer dv/dt-Wert
  • Schnelles Umschalten
  • Lawine bewertet

Anwendungen

  • Industrieller Motorantrieb
Technische Daten
max. Spannung 75 V
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.5x10<sup>-7</sup> C
Verlustleistung W (DC) 330 W
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 7 mΩ
max. Strom 140 A
Ausführung N-Kanal
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 150 °C
Gehäuse TO-220
Montage THT
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 202 Stück
Ursprungsland PH
Compliance
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja