IRF3808PBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 140 A, TO-220, IRF3808PBF
Einzelpreis (€ / Stk.)
1,1781 € *
Verfügbar in 5 Tagen: 1.800 Stk. - bei Bestellung heute
Gesamtpreis:
11,78 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
10 Stk.
1,1781 €
MOSFETs, IRF3808PBF, Infineon Technologies
Der IRF3808PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken nutzt, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Das Design ist extrem effizient und zuverlässig und kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden.
Features
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand
- Dynamischer dv/dt-Wert
- Schnelles Umschalten
- Lawine bewertet
Anwendungen
- Industrieller Motorantrieb
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -40 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 7 mΩ | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 75 V | |
| max. Strom | 140 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.5x10<sup>-7</sup> C | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 330 W | |
| max. Temperatur | 150 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 202 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |