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IRF3710PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 57 A, TO-220, IRF3710PBF

Bestellnr.: 31S3090
EAN: 4099879034007
HTN:
IRF3710PBF
SP001551058
Herstellerserien: NFET_IRFXXX
Infineon Technologies
IRF3710PBF Infineon Technologies MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 100 V
max. Strom 57 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 23 mΩ
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MOSFETs, IRF3710PBF, Infineon Technologies

Der IRF3710PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.

Features

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Extrem niedriger Einschaltwiderstand
  • Dynamischer dv/dt-Wert
  • Schnelles Umschalten
  • Lawine bewertet
Technische Daten
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 175 °C
Montage THT
Ausführung N-Kanal
Gehäuse TO-220
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 23 mΩ
max. Spannung 100 V
Gate Charge Qg @10V (nC) 8.67x10<sup>-8</sup> C
Verlustleistung W (DC) 200 W
max. Strom 57 A
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Ursprungsland KR
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
SVHC frei Ja
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15