IRF1324PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 24 V, 195 A, TO-220, IRF1324PBF

Bestellnr.: 31S3064
EAN: 4099879033963
HTN:
IRF1324PBF
SP001561460
Herstellerserien: NFET_IRFXXX
IRF1324PBF Infineon Technologies MOSFETs
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MOSFETs, IRF1324PBF, Infineon Technologies

Features

  • Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
  • Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
  • Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden
  • Bleifrei

Anwendungen

  • Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
  • Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
Verlustleistung W (DC) 300 W
max. Strom 195 A
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.6x10<sup>-7</sup> C
max. Temperatur 175 °C
Ausführung N-Kanal
Montage THT
max. Spannung 24 V
Gehäuse TO-220
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 2 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Originalverpackung Stange mit 1.490 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja