IRF1310NPBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 42 A, TO-220, IRF1310NPBF

Bestellnr.: 31S2062
EAN: 4099879033956
HTN:
IRF1310NPBF
SP001553864
Herstellerserien: NFET_IRFXXX
IRF1310NPBF Infineon Technologies MOSFETs
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MOSFETs, IRF1310NPBF, Infineon Technologies

Der IRF1310NPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.

Features

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Extrem niedriger Einschaltwiderstand
  • Dynamischer dv/dt-Wert
  • Schnelles Umschalten
  • Lawine bewertet
Technische Daten
max. Spannung 100 V
Gehäuse TO-220
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.1x10<sup>-7</sup> C
Verlustleistung W (DC) 160 W
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 175 °C
max. Strom 42 A
Montage THT
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 36 mΩ
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15