IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal CoolMOSC7 Power Transistor, 650 V, 33 A, TO-247, IPZ65R065C7XKSA1
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MOSFETs, IPZ65R065C7XKSA1, Infineon Technologies
Der IPZ65R065C7XKSA1 ist ein Hochspannungs-MOSFET, der nach dem Super-Junction-Prinzip konstruiert ist.
Features
- Erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit
- Einfache Nutzung/Ansteuerung durch Treiber-Source-Pin zur besseren Kontrolle des Gates
- Qualifiziert für industrielle Anwendungen
Anwendungen
- Ermöglichung einer höheren Systemeffizienz
- Ermöglichung von Lösungen mit höherer Frequenz/größerer Leistungsdichte
- Einsparungen bei den Systemkosten/der Systemgröße aufgrund des geringeren Kühlungsbedarfs
- Höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 65 mΩ | |
| Verlustleistung W (DC) | 171 W | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 6.4x10<sup>-8</sup> C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 650 V | |
| Gehäuse | TO-247 | |
| max. Strom | 33 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |