IPT007N06N | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS Power Transistor, PG-HSOF-8, IPT007N06N
Bestellnr.: 54S1078
HTN:
IPT007N06N
SP001100158
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Leistungstransistor, IPT007N06N, INFINEON
Das TO-Leadless-Gehäuse von Infineon ist für Hochstromanwendungen wie Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge (LEV), POL (Point-of-Load) und Telekommunikation optimiert. Dieses Gehäuse ist eine perfekte Lösung für Hochstromanwendungen, bei denen höchste Effizienz, hervorragendes EMI-Verhalten sowie bestes thermisches Verhalten und Platzersparnis erforderlich sind.
Features
- Hervorragender Wärmewiderstand
- N-Kanal
- Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- Höchste Strombelastbarkeit > 480 A
Anwendungen
- Gabelstapler
- Telekommunikation
- Efuse
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Gehäuse | PG-HSOF-8 | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 0.75 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 0.000000216 C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 2.000 Stück |
| Ursprungsland | MY |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |