IPT004N03LATMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOSP2 Power Transistor, 30 V, 300 A, HSOF, IPT004N03LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 54S1001
Availability: InStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOSP2 Power Transistor, 30 V, 300 A, HSOF, IPT004N03LATMA1

Bestellnr.: 54S1001

EAN: 4099879034687

HTN:

IPT004N03LATMA1

SP001100156

Herstellerserien: IPT

IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies MOSFETs

Abbildung kann abweichen

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 30 V

max. Strom 300 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 0.5 mΩ

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 0.4 Ω

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IPT004N03LATMA1, Infineon Technologies

Features

P-Kanal
Erweiterungsmodus
Logikpegel
Lawine bewertet

Anwendungen

Gabelstapler
Leichte Elektrofahrzeuge (LEV), z. B. E-Scooter, E-Bikes oder µ-car
Belastungspunkt (POL)
Telekom
eFuse

Technische Daten

Filter	Merkmal	Wert
	max. Spannung	30 V
	Gate Charge Qg @10V (nC)	2.52x10<sup>-7</sup> C
	Verlustleistung W (DC)	300 W
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	0.4 Ω
	max. Strom	300 A
	Ausführung	N-Kanal
	min. Temperatur	-55 °C
	max. Temperatur	150 °C
	Gehäuse	HSOF
	Montage	SMD
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V	0.5 mΩ