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IPI086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 100 V, 80 A, PG-TO262-3, IPI086N10N3GXKSA1

Bestellnr.: 88S9330
EAN: 4099879035318
HTN:
IPI086N10N3GXKSA1
SP000683070
Herstellerserien: IPI
Infineon Technologies
IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 100 V
max. Strom 80 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 8.6 mΩ
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10 Stk.
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Produktbeschreibung
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Logistik
Compliance

MOSFETs, IPI086N10N3GXKSA1, Infineon Technologies

Features

  • N-Kanal
  • Ausgezeichnete Torgebühr
  • Sehr niedriger On-Widerstand
  • Ideal für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung

Anwendungen

  • Synchrongleichrichtung für AC-DC SMPS
  • Motorsteuerung für 48 V-80 V Systeme
  • Isolierte DC-DC-Wandler
  • Bedienung von Schaltern und Leistungsschaltern in 48-V-Systemen
  • Audioverstärker der Klasse D
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
max. Strom 80 A
Ausführung N-Kanal
Gehäuse PG-TO262-3
max. Spannung 100 V
max. Temperatur 175 °C
Verlustleistung W (DC) 125 W
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 8.6 mΩ
Montage THT
Gate Charge Qg @10V (nC) 4.2x10<sup>-8</sup> C
min. Temperatur -55 °C
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Originalverpackung Stange mit 500 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
SVHC frei Ja
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15