IPI024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 60 V, 120 A, PG-TO262-3, IPI024N06N3GXKSA1
Einzelpreis (€ / Stk.)
2,856 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 14 Wochen
Gesamtpreis:
142,80 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
50 Stk.
2,856 €
Leistungstransistor, IPI024N06N3GXKSA1, Infineon
OptiMOS Power-Transistor, ideal für hochfrequentes Schalten und Synchronisieren mit sehr niedrigem On-Widerstand und 100% Avalanche getestet.
Features
- Ausgezeichnete Gate-Ladung
- Halogenfrei
- Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
- Ideal für hochfrequentes Schalten
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | PG-TO262-3 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.4 mΩ | |
| max. Spannung | 60 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 0.000000206 C | |
| Verlustleistung W (DC) | 250 W | |
| max. Strom | 120 A |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 500 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |