IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal CoolMOSC6 Power Transistor, DPAK, IPD60R1K4C6
Bestellnr.: 54S1071
HTN:
IPD60R1K4C6
SP001292870
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Leistungstransistor, IPD60R1K4C6, INFINEON
CoolMOS C6 kombiniert die Erfahrung von Infineon als führender Anbieter von Superjunction-MOSFETs mit klassenbester Innovation. Die C6-Bausteine bieten alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs, ohne dabei die Benutzerfreundlichkeit zu beeinträchtigen. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.
Features
- Einfache Kontrolle des Schaltverhaltens
- Sehr hohe Kommutierungsrobustheit
- Einfach zu bedienen
- Bessere Effizienz bei leichter Last im Vergleich zu C3
- Effizienter, kompakter, leichter und kühler
Anwendungen
- Verbraucher
- Adapter
- eMobilität
- SMPS
- PC-Leistung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | DPAK | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1400 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 9.4x10<sup>-9</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |