IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 30 V, 80 A, PG-TO263-3, IPB80N03S4L03ATMA1
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MOSFETs, IPB80N03S4L03ATMA1, Infineon Technologies
Features
- N-Kanal
- Erweiterungsmodus
- MSL1 bis zu 260°C Spitzenwert beim Reflow
- Lawine bewertet
Anwendungen
- EPS-Motorsteuerung
- Drehstrom- und H-Brückenmotoren
- HVAC-Lüftersteuerung
- Elektrische Pumpen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Strom | 80 A | |
| Verlustleistung W (DC) | 94 W | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 6x10<sup>-8</sup> C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3.4 mΩ | |
| Gehäuse | PG-TO263-3 | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | SMD | |
| max. Spannung | 30 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |