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IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 30 V, 80 A, PG-TO263-3, IPB80N03S4L03ATMA1

Bestellnr.: 88S9102
EAN: 4099879035264
HTN:
IPB80N03S4L03ATMA1
SP000274982
Herstellerserien: IPB
Infineon Technologies
IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 30 V
max. Strom 80 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 3.4 mΩ

Bestellinformationen:

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Logistik
Compliance

MOSFETs, IPB80N03S4L03ATMA1, Infineon Technologies

Features

  • N-Kanal
  • Erweiterungsmodus
  • MSL1 bis zu 260°C Spitzenwert beim Reflow
  • Lawine bewertet

Anwendungen

  • EPS-Motorsteuerung
  • Drehstrom- und H-Brückenmotoren
  • HVAC-Lüftersteuerung
  • Elektrische Pumpen
Technische Daten
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 3.4 mΩ
min. Temperatur -55 °C
max. Strom 80 A
Gehäuse PG-TO263-3
Gate Charge Qg @10V (nC) 6x10<sup>-8</sup> C
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 30 V
max. Temperatur 175 °C
Verlustleistung W (DC) 94 W
Montage SMD
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 1.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15