IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal CoolMOSP7 Power Device, 800 V, 4 A, TO-220, IPA80R1K4P7XKSA1
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MOSFETs, IPA80R1K4P7XKSA1, Infineon Technologies
Features
- Ermöglicht Design mit hoher Leistungsdichte
- Integrierte Zenerdiode
- ESD-geschützt
Anwendungen
- Industrielle Anwendungen
- Adapter
- LED-Beleuchtung
- Verbraucher Anwendungen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 800 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-8</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 24 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.4 Ω | |
| max. Strom | 4 A | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| Montage | THT |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85413000 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |