IPA086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 100 V, 45 A, PG-TO220-3, IPA086N10N3GXKSA1
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MOSFETs, IPA086N10N3GXKSA1, Infineon Technologies
Features
- N-Kanal
- Ausgezeichnete Torgebühr
- Sehr niedriger On-Widerstand
- Ideal für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung
Anwendungen
- Synchrongleichrichtung für AC-DC SMPS
- Motorsteuerung für 48 V-80 V Systeme
- Isolierte DC-DC-Wandler
- Bedienung von Schaltern und Leistungsschaltern in 48-V-Systemen
- Audioverstärker der Klasse D
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
max. Temperatur | 175 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 37.5 W | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 4.2x10<sup>-8</sup> C | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 8.6 mΩ | |
Ausführung | N-Kanal | |
max. Strom | 45 A | |
max. Spannung | 100 V | |
Gehäuse | PG-TO220-3 |
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Logistik
Originalverpackung | Stange mit 476 Stück |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
SVHC frei | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
RoHS konform | Ja |