BSZ22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 200 V, 7 A, PG-TSDSON-8, BSZ22DN20NS3GATMA1
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MOSFETs, BSZ22DN20NS3GATMA1, Infineon Technologies
Features
- Optimiert für DC/DC-Wandlung
- N-Kanal
- Normalespegel
- Niedriger Einschaltwiderstand
Anwendungen
- Synchrongleichrichtung für AC-DC SMPS
- Motorsteuerung für 48 V-110 V Systeme
- Isolierte DC-DC-Wandler
- Beleuchtung für 110 V AC-Netze
- HID-Lampen
- Audioverstärker der Klasse D
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- LED-Beleuchtung Stromversorgung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Strom | 7 A | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | PG-TSDSON-8 | |
| max. Spannung | 200 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 34 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 225 mΩ | |
| Montage | SMD | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 4.2x10<sup>-9</sup> C | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 1 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |