English

BSS87H632BFTSA1 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 200 V, 400 mA, SOT-223, BSS87H632BFTSA1

Bestellnr.: 17S8660
EAN: 4099879032973
HTN:
BSS87H632BFTSA1
Herstellerserien: BSS
Infineon Technologies
BSS87H632BFTSA1 Infineon Technologies MOSFETs
Abbildung kann abweichen
Drucken
Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 200 V
max. Strom 400 mA
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 7.5 Ω
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 6 Ω
Download Datenblatt Technische Daten
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,3927 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: Auf Anfrage
Gesamtpreis:
392,70 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
1000 Stk.
0,3927 €
Produktbeschreibung
Technische Daten
Download
Logistik
Compliance

MOSFETs, BSS87H632BFTSA1, Infineon Technologies

Features

  • N-Kanal
  • Erweiterungsmodus
  • Logikpegel
  • dv/dt bewertet

Anwendungen

  • Automobilindustrie
  • Verbraucher
  • DC-DC
  • eMobilität
  • Motorsteuerung
  • Ladegerät an Bord
  • Telekom
Technische Daten
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 150 °C
Montage SMD
Ausführung N-Kanal
Gehäuse SOT-223
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 6 Ω
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 7.5 Ω
max. Spannung 200 V
Gate Charge Qg @10V (nC) 3.7x10<sup>-9</sup> C
max. Strom 400 mA
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Ursprungsland MY
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
SVHC frei Ja
RoHS konform Nein
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15