BSS806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS2 Small-Signal Transistor, 20 V, 2.3 A, PG-SOT23-3-5, BSS806NH6327XTSA1
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MOSFETs, BSS806NH6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- N-Kanal
- Erweiterungsmodus
- Ultra Logikpegel
- Lawine bewertet
Anwendungen
- Automobilindustrie
- Verbraucher
- DC-DC
- eMobilität
- Motorsteuerung
- Ladegerät an Bord
- Telekom
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 57 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Strom | 2.3 A | |
| Gehäuse | PG-SOT23-3-5 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.7x10<sup>-9</sup> C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 20 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 0.5 W | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 81.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |