English

BSS806NEH6327XTSA1 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS2 Small-Signal Transistor, 20 V, 2.3 A, PG-SOT23-3, BSS806NEH6327XTSA1

Bestellnr.: 88S7617
EAN: 4099879035110
HTN:
BSS806NEH6327XTSA1
SP000999336
Herstellerserien: BSS
Infineon Technologies
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFETs
Abbildung kann abweichen
Drucken
Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 20 V
max. Strom 2.3 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 550 mΩ

Bestellinformationen:

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar
Download Datenblatt Technische Daten
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,0475 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: Auf Anfrage
Gesamtpreis:
142,44 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
3000 Stk.
0,0475 €
Produktbeschreibung
Technische Daten
Download
Logistik

MOSFETs, BSS806NEH6327XTSA1, Infineon Technologies

Features

  • N-Kanal
  • Erweiterungsmodus
  • Ultra Logikpegel
  • Lawine bewertet
  • ESD-geschützt

Anwendungen

  • Automobilindustrie
  • Verbraucher
  • DC-DC
  • eMobilität
  • Motorsteuerung
  • Ladegerät an Bord
  • Telekom
Technische Daten
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 550 mΩ
min. Temperatur -55 °C
max. Strom 2.3 A
Gehäuse PG-SOT23-3
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.7x10<sup>-9</sup> C
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 20 V
max. Temperatur 150 °C
Verlustleistung W (DC) 0.5 W
Montage SMD
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 30.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900