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BSS806NEH6327XTSA1 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS2 Small-Signal Transistor, 20 V, 2.3 A, PG-SOT23-3, BSS806NEH6327XTSA1

Bestellnr.: 88S7617
EAN: 4099879035110
HTN:
BSS806NEH6327XTSA1
SP000999336
Herstellerserien: BSS
Infineon Technologies
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 20 V
max. Strom 2.3 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 550 mΩ

Bestellinformationen:

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Logistik

MOSFETs, BSS806NEH6327XTSA1, Infineon Technologies

Features

  • N-Kanal
  • Erweiterungsmodus
  • Ultra Logikpegel
  • Lawine bewertet
  • ESD-geschützt

Anwendungen

  • Automobilindustrie
  • Verbraucher
  • DC-DC
  • eMobilität
  • Motorsteuerung
  • Ladegerät an Bord
  • Telekom
Technische Daten
min. Temperatur -55 °C
max. Strom 2.3 A
Verlustleistung W (DC) 0.5 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.7x10<sup>-9</sup> C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 550 mΩ
Gehäuse PG-SOT23-3
max. Temperatur 150 °C
Ausführung N-Kanal
Montage SMD
max. Spannung 20 V
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 30.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900