BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies P-Kanal OptiMOS-P Small-Signal Transistor, -20 V, -0.39 A, PG-SOT323-3, BSS223PWH6327XTSA1
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MOSFETs, BSS223PWH6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- P-Kanal
- Erweiterungsmodus
- Super-Logik-Pegel
- Lawine bewertet
- dv/dt bewertet
Anwendungen
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Motorsteuerung
- Integriertes Ladegerät
- DC-DC
- Verbraucher
- Logikpegel-Übersetzer
- Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.2 Ω | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Strom | -0.39 A | |
| Gehäuse | PG-SOT323-3 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | -5x10<sup>-10</sup> C | |
| Ausführung | P-Kanal | |
| max. Spannung | -20 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 0.25 W | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 69.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |