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BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 60 V, 0.13 A, PG-SOT23-3, BSS159NH6327XTSA2

Bestellnr.: 88S7593
EAN: 4099879035066
HTN:
BSS159NH6327XTSA2
SP000919328
Herstellerserien: BSS
Infineon Technologies
BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 60 V
max. Strom 0.13 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 8 mΩ
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MOSFETs, BSS159NH6327XTSA2, Infineon Technologies

Features

  • N-Kanal
  • Erschöpfungsmodus
  • dv/dt bewertet
  • Bleifrei, Halogenfrei, Rohs konform

Anwendungen

  • Automobilindustrie
  • Verbraucher
  • DC-DC
  • eMobilität
  • Motorsteuerung
  • Ladegerät an Bord
  • Telekom
Technische Daten
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 8 mΩ
max. Temperatur 150 °C
Montage SMD
Verlustleistung W (DC) 0.36 W
Gehäuse PG-SOT23-3
Ausführung N-Kanal
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.4x10<sup>-9</sup> C
max. Strom 0.13 A
max. Spannung 60 V
min. Temperatur -55 °C
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 177.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900