BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 250 V, 0.03 A, SOT-23, BSS139H6327XTSA1
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MOSFETs, BSS139H6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- N-Kanal
- Erschöpfungsmodus
- dv/dt bewertet
- Bleifrei, Halogenfrei, Rohs konform
Anwendungen
- Automobilindustrie
- Verbraucher
- DC-DC
- eMobilität
- Motorsteuerung
- Ladegerät an Bord
- Telekom
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 30 Ω | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.5x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 0.36 W | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Montage | SMD | |
| max. Strom | 0.03 A | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Spannung | 250 V | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | MY |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 168.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |