BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 240 V, 350 mA, PG-SOT223, BSP88H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 17S7485
Availability: InStock

Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 240 V, 350 mA, PG-SOT223, BSP88H6327XTSA1

Bestellnr.: 17S7485

EAN: 4099879032867

HTN:

BSP88H6327XTSA1

Herstellerserien: BSP88

BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFETs Bild 2

Abbildung kann abweichen

Drucken

Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 240 V

max. Strom 350 mA

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 7.5 Ω

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 6 Ω

Download Datenblatt Technische Daten

Einzelpreis (€ / Stk.)

0,3332 € *

Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 10 Wochen

Gesamtpreis:

333,20 € *

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

MOSFETs, BSP88H6327XTSA1, Infineon Technologies

Features

N-Kanal
Erweiterungsmodus
Logikpegel
Lawine bewertet
dv/dt bewertet

Anwendungen

Automobilindustrie
Verbraucher
DC-DC
eMobilität
Motorsteuerung
Ladegerät an Bord
Telekom

Technische Daten

Filter	Merkmal	Wert
	min. Temperatur	-55 °C
	max. Temperatur	150 °C
	Montage	SMD
	Ausführung	N-Kanal
	Gehäuse	PG-SOT223
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	6 Ω
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V	7.5 Ω
	max. Spannung	240 V
	Gate Charge Qg @10V (nC)	6.8x10<sup>-9</sup> C
	Verlustleistung W (DC)	1.8 W
	max. Strom	350 mA