BSP372NH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 100 V, 1.8 A, SOT-223, BSP372NH6327XTSA1
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MOSFETs, BSP372NH6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- N-Kanal
- Erweiterungsmodus
- Logikpegel
- Lawine bewertet
Anwendungen
- Automobilindustrie
- Verbraucher
- DC-DC
- eMobilität
- Motorsteuerung
- Ladegerät an Bord
- Telekom
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | SOT-223 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 230 mΩ | |
| max. Spannung | 100 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 9.5x10<sup>-9</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 1.8 W | |
| max. Strom | 1.8 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | MY |
| Originalverpackung | Rolle mit 1 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |