BSO615CGHUMA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N/P-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 60 V, 3.1 A, SOIC-8, BSO615CGHUMA1
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Doppel-MOSFET, BSO615CGHUMA1, Infineon Technologies
Der BSO615C G ist ein SIPMOS® Kleinsignaltransistor mit zwei N/P-Kanälen im Anreicherungsmodus für DC/DC-Wandler- und On-Board-Ladegeräte-Anwendungen. Es handelt sich um einen komplementären MOSFET mit einem n-Kanal- und einem p-Kanal-Leistungstransistor im gleichen Gehäuse.
Features
- Lawine bewertet
- Logische Ebene
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 2 W | |
| max. Strom | 3.1 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.7x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | N/P-Kanal | |
| Montage | SMD | |
| max. Spannung | 60 V | |
| Gehäuse | SOIC-8 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 110 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | ID |
| MSL | MSL 3 |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |