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BSO110N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS 3 M-Serie Power MOSFET, 30 V, 12.1 A, PG-DSO-8, BSO110N03MSGXUMA1

Bestellnr.: 88S7453
EAN: 4099879034991
HTN:
BSO110N03MSGXUMA1
SP000446062
Herstellerserien: BSO110
Infineon Technologies
BSO110N03MSGXUMA1 Infineon Technologies MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 30 V
max. Strom 12.1 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 11 mΩ

Bestellinformationen:

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MOSFETs, BSO110N03MSGXUMA1, Infineon Technologies

Features

  • Optimiert für 5V-Treiberanwendungen
  • Niedriges FOM für Hochfrequenz-SMPS
  • N-Kanal
  • Sehr niedriger On-Widerstand

Anwendungen

  • Ladegerät an Bord
  • Notebook
  • Hauptplatine
  • DC-DC
  • VRD/VRM
  • Motorsteuerung
  • LED
Technische Daten
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 150 °C
Montage SMD
Ausführung N-Kanal
Gehäuse PG-DSO-8
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 11 mΩ
max. Spannung 30 V
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.5x10<sup>-8</sup> C
Verlustleistung W (DC) 2.5 W
max. Strom 12.1 A
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 1 Stück
Zolltarifnummer 85412900