BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power MOSFET, 30 V, 13 A, TDSON-8, BSC886N03LSGATMA1

Bestellnr.: 88S7361
EAN: 4099879034960
HTN:
BSC886N03LSGATMA1
SP000475950
Herstellerserien: BSC
BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFETs
Abbildung kann abweichen
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,3689 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: Auf Anfrage
Gesamtpreis:
1.844,50 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
5000 Stk.
0,3689 €

MOSFETs, BSC886N03LSGATMA1, Infineon Technologies

Features

  • Schnell schaltender MOSFET für SMPS
  • Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
  • N-Kanal
  • Sehr niedriger On-Widerstand

Anwendungen

  • Ladegerät an Bord
  • Notebook
  • Hauptplatine
  • DC-DC
  • VRD/VRM
  • Motorsteuerung
  • LED
Technische Daten
max. Strom 13 A
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.2x10<sup>-8</sup> C
max. Temperatur 150 °C
Ausführung N-Kanal
Montage SMD
max. Spannung 30 V
Gehäuse TDSON-8
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 6 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 5.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja