BSC120N03MSGATMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 M-Serie Power MOSFET, 30 V, 11 A, PG-TDSON-8, BSC120N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S7332
Price: 0.63 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 M-Serie Power MOSFET, 30 V, 11 A, PG-TDSON-8, BSC120N03MSGATMA1

Bestellnr.: 88S7332

EAN: 4099879034953

HTN:

BSC120N03MSGATMA1

SP000311516

Herstellerserien: BSC

Abbildung kann abweichen

Drucken

Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 30 V

max. Strom 11 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 12 mΩ

Bestellinformationen:

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar

Download Datenblatt Technische Daten

Einzelpreis (€ / Stk.)

0,6307 € *

Lagerbestand: 0 Stk.

Lieferzeit ab Hersteller: 22 Wochen **

In den Warenkorb

Gesamtpreis:

0,63 € *

Preisstaffel

Anzahl

Preis pro Einheit*

10 Stk.

0,6307 €

50 Stk.

0,5236 €

250 Stk.

0,4641 €

1000 Stk.

0,4165 €

2000 Stk.

0,3689 €

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

**Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

MOSFETs, BSC120N03MSGATMA1, Infineon Technologies

Features

Optimiert für 5V-Treiberanwendungen
Niedriges FOM für Hochfrequenz-SMPS
N-Kanal
Sehr niedriger On-Widerstand

Anwendungen

Ladegerät an Bord
Notebook
Hauptplatine
DC-DC
VRD/VRM
Motorsteuerung
LED

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	12 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.5x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	PG-TDSON-8
	max. Spannung	30 V
	max. Strom	11 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD