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BSC120N03MSGATMA1 | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 M-Serie Power MOSFET, 30 V, 11 A, PG-TDSON-8, BSC120N03MSGATMA1

Bestellnr.: 88S7332
EAN: 4099879034953
HTN:
BSC120N03MSGATMA1
SP000311516
Herstellerserien: BSC
Infineon Technologies
BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 30 V
max. Strom 11 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 12 mΩ

Bestellinformationen:

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MOSFETs, BSC120N03MSGATMA1, Infineon Technologies

Features

  • Optimiert für 5V-Treiberanwendungen
  • Niedriges FOM für Hochfrequenz-SMPS
  • N-Kanal
  • Sehr niedriger On-Widerstand

Anwendungen

  • Ladegerät an Bord
  • Notebook
  • Hauptplatine
  • DC-DC
  • VRD/VRM
  • Motorsteuerung
  • LED
Technische Daten
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.5x10<sup>-8</sup> C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 12 mΩ
Ausführung N-Kanal
Montage SMD
max. Strom 11 A
Gehäuse PG-TDSON-8
max. Temperatur 150 °C
max. Spannung 30 V
min. Temperatur -55 °C
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 1 Stück