IKW30N60T | Infineon Technologies
Infineon IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W Autom. TO-247-3 Tube IKW30N60TFKSA1
Transistor, IKW30N60T, Infineon Technologies
Der hart schaltende 600 V, 30 A TRENCHSTOP IGBT3, der mit einer vollwertigen Freilaufdiode in einem TO-247-Gehäuse kombiniert ist, führt aufgrund der Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept zu einer erheblichen Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bauelements. Die Kombination aus IGBT und emittergesteuerter Diode mit weicher Rückstellung minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.
Features
- Niedrigster VCEsat-Abfall für geringere Leitungsverluste
- Geringe Schaltverluste
- Einfache Parallelschaltbarkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
- Sehr weiche, schnell erholende antiparallele emittergesteuerte Diode
- Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
- Geringe EMI-Emissionen
- Niedrige Gate-Ladung
- Sehr enge Parameterverteilung
Anwendungen
- Motorantrieb für allgemeine Zwecke - Frequenz und Spannung variieren
- Haushaltsgeräte
- Offline-USV - Hochfrequenztransformatoren
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
- Geringe EMI-Emissionen
- Niedrige Gate-Ladung
- Sehr enge Parameterverteilung
Filter | Merkmal | Wert |
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min. Temperatur | -40 °C | |
Ausführung | Einfach | |
max. Temperatur | 175 °C | |
Montage | THT | |
max. Strom | 45 A | |
Gehäuse | TO-247 | |
max. Spannung | 600 V | |
Sättigungsspannung | 2.05 V |
Merkmal | Wert |
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Zolltarifnummer | 85412900 |
Ursprungsland | CN |
Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Merkmal | Wert |
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SVHC frei | Ja |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |