IKW30N60T | Infineon Technologies

Infineon IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W Autom. TO-247-3 Tube IKW30N60TFKSA1

Bestellnr.: 24S3008
HTN:
IKW30N60T
Herstellerserien: IKW
IKW30N60T Infineon Technologies IGBTs
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Transistor, IKW30N60T, Infineon Technologies

Der hart schaltende 600 V, 30 A TRENCHSTOP IGBT3, der mit einer vollwertigen Freilaufdiode in einem TO-247-Gehäuse kombiniert ist, führt aufgrund der Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept zu einer erheblichen Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bauelements. Die Kombination aus IGBT und emittergesteuerter Diode mit weicher Rückstellung minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.

Features

  • Niedrigster VCEsat-Abfall für geringere Leitungsverluste
  • Geringe Schaltverluste
  • Einfache Parallelschaltbarkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
  • Sehr weiche, schnell erholende antiparallele emittergesteuerte Diode
  • Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
  • Geringe EMI-Emissionen
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Sehr enge Parameterverteilung

Anwendungen

  • Motorantrieb für allgemeine Zwecke - Frequenz und Spannung variieren
  • Haushaltsgeräte
  • Offline-USV - Hochfrequenztransformatoren
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
  • Geringe EMI-Emissionen
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Sehr enge Parameterverteilung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
min. Temperatur -40 °C
Ausführung Einfach
max. Temperatur 175 °C
Montage THT
max. Strom 45 A
Gehäuse TO-247
max. Spannung 600 V
Sättigungsspannung 2.05 V
Logistik
Merkmal Wert
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Originalverpackung Stange mit 30 Stück
Compliance
Merkmal Wert
SVHC frei Ja
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15