BSP60H6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, PNP, 1 A, 45 V, SMD, SOT-223, BSP60H6327XTSA1
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Bipolartransistor, BSP60H6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- Hoher Kollektorstrom
- Hohe Stromverstärkung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Pb-frei und RoHs-konform
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung VA (AC) | 1.5 W | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 200 MHz | |
| Min Gleichstromverstärkung | 2000 mA | |
| Gehäuse | SOT-223 | |
| Kollektorstrom | 1 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | PNP | |
| Sättigungsspannung | 1.8 V | |
| Nennstrom | 1 A | |
| Montage | SMD | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 45 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | US |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |