BFR35APE6327HTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 45 mA, 15 V, SMD, SOT-23, BFR35APE6327HTSA1
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Bipolartransistor, BFR35APE6327HTSA1, Infineon Technologies
Features
- Niedrige Stromverstärkung
- Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Für verzerrungsarme Breitbandverstärker
- Für Oszillatoren
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
Max Gleichstromverstärkung | 140 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 70 mA | |
Transitfrequenz fTmin | 5 GHz | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 20 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 15 V | |
Ausführung | NPN | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Kollektorstrom | 45 mA | |
max. Temperatur | 150 °C | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.28 W | |
Gehäuse | SOT-23 | |
Montage | SMD |
Download
Logistik
Merkmal | Wert |
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Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 6.000 Stück |
Compliance
Merkmal | Wert |
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Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |