BFR35APE6327HTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 45 mA, 15 V, SMD, SOT-23, BFR35APE6327HTSA1
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Bipolartransistor, BFR35APE6327HTSA1, Infineon Technologies
Features
- Niedrige Stromverstärkung
- Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Für verzerrungsarme Breitbandverstärker
- Für Oszillatoren
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Max Gleichstromverstärkung | 140 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | NPN | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 5 GHz | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.28 W | |
| Kollektorstrom | 45 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 20 V | |
| Min Gleichstromverstärkung | 70 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 15 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 6.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |